MOS管就是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。在使用過(guò)程中，很容易就會(huì)發(fā)現(xiàn)，MOS管不僅僅有P溝道與N溝道的區(qū)別。另外還有增強(qiáng)型與耗盡型的區(qū)別，而他們?cè)谑褂眠^(guò)程所表現(xiàn)的狀態(tài)都完全不一樣。今天，具有35年半導(dǎo)體經(jīng)驗(yàn)的MOS管廠家“飛虹”這就分享給大家。

首先先區(qū)分一下增強(qiáng)型與耗盡型的區(qū)別。當(dāng)UGS=0時(shí)，漏源極之間沒(méi)有導(dǎo)電溝道，UGS增大到開啟電壓時(shí)，漏源極之間才開始形成導(dǎo)電溝道，叫做增強(qiáng)型MOS管；當(dāng)UGS=0時(shí)，漏源極之間有原始導(dǎo)電溝道，叫做耗盡型MOS管。

其實(shí)所謂的增強(qiáng)還是耗盡，主要是指MOS管內(nèi)的反型層。如果在不通電情況下，反型層不存在，電壓加到一定程度后，反型層才出現(xiàn)，這個(gè)就是增強(qiáng)。相反，如果反型層一開始就存在，隨著電壓強(qiáng)弱，反型層會(huì)出現(xiàn)增加或者衰減，這個(gè)就是耗盡。

增強(qiáng)型MOS管科學(xué)的原理是它通過(guò)“加厚”導(dǎo)電溝道的厚度來(lái)導(dǎo)通，柵極電壓越低，則p型源、漏極的正離子就越靠近中間，n襯底的負(fù)離子就越遠(yuǎn)離柵極，MOS管廠家柵極電壓達(dá)到一個(gè)值，叫閥值或坎壓時(shí)，由p型游離出來(lái)的正離子連在一起，形成通道。

因此，容易理解，柵極電壓必須低到一定程度才能導(dǎo)通，電壓越低，通道越厚，導(dǎo)通電阻越小。由于電場(chǎng)的強(qiáng)度與距離平方成正比，因此，電場(chǎng)強(qiáng)到一定程度之后，電壓下降引起的溝道加厚就不明顯了，MOS管廠家也是因?yàn)閚型負(fù)離子的“退讓”是越來(lái)越難的。耗盡型的是事先做出一個(gè)導(dǎo)通層，用柵極來(lái)加厚或者減薄來(lái)控制源漏的導(dǎo)通。但這種管子一般不生產(chǎn)，在市面基本見不到。所以，大家平時(shí)說(shuō)mos管，就默認(rèn)是增強(qiáng)型的。

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